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DMT3009LFVWQ-7

DMT3009LFVWQ-7

僅供參考

型號 DMT3009LFVWQ-7
PNEDA編號 DMT3009LFVWQ-7
描述 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT3009LFVWQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT3009LFVWQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMT3009LFVWQ-7, DMT3009LFVWQ-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 570.84 KB)
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DMT3009LFVWQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds823pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount, Wettable Flank
供應商設備包裝PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4525pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

415W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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5.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

78A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

147nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta), 46W (Tc)

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