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DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13

僅供參考

型號 DMT10H017LPD-13
PNEDA編號 DMT10H017LPD-13
描述 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT10H017LPD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT10H017LPD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMT10H017LPD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)54.7A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs17.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28.6nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1986pF @ 50V
功率-最大2.2W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝PowerDI5060-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 16V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 16V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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