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DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

僅供參考

型號 DMN63D8LDW-7
PNEDA編號 DMN63D8LDW-7
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,680,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN63D8LDW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN63D8LDW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN63D8LDW-7, DMN63D8LDW-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 166.71 KB)
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DMN63D8LDW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)220mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs870nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds22pF @ 25V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA, 410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

73mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

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3nC @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

87mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 15V

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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