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DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

僅供參考

型號 DMN3190LDW-7
PNEDA編號 DMN3190LDW-7
描述 MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,934,090
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3190LDW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3190LDW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3190LDW-7, DMN3190LDW-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 249.27 KB)
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DMN3190LDW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds87pF @ 20V
功率-最大320mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 7.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 10V

功率-最大

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

101mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

370mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 100µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

570mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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