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DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

僅供參考

型號 DMN3033LSDQ-13
PNEDA編號 DMN3033LSDQ-13
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3033LSDQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3033LSDQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3033LSDQ-13, DMN3033LSDQ-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 401.07 KB)
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DMN3033LSDQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds725pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

697pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

432pF @ 25V

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A (Ta), 33.2A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

864pF @ 30V

功率-最大

2.5W (Ta), 37.5W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1995pF @ 40V

功率-最大

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