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DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

僅供參考

型號 DMN3016LDV-7
PNEDA編號 DMN3016LDV-7
描述 MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 9 - 七月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3016LDV-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3016LDV-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3016LDV-7, DMN3016LDV-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 417.75 KB)
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DMN3016LDV-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1184pF @ 15V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PowerDI3333-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

820mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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