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DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

僅供參考

型號 DMN1008UFDF-7
PNEDA編號 DMN1008UFDF-7
描述 MOSFET N-CH30V SC-59
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN1008UFDF-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN1008UFDF-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN1008UFDF-7, DMN1008UFDF-7數據表 (總頁數: 8, 大小: 524.72 KB)
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DMN1008UFDF-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23.4nC @ 8V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds995pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±9V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

705pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

317A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 158.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

448nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1136W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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