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DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

僅供參考

型號 DMJ7N70SK3-13
PNEDA編號 DMJ7N70SK3-13
描述 MOSFET N-CH 700V 3.9A
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMJ7N70SK3-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMJ7N70SK3-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMJ7N70SK3-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.25Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.9nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds351pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

285nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3210pF @ 25V

FET功能

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180W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1877pF @ 10V

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

690mOhm @ 3.65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

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