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DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

僅供參考

型號 DMHT6016LFJ-13
PNEDA編號 DMHT6016LFJ-13
描述 MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 46,044
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMHT6016LFJ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMHT6016LFJ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMHT6016LFJ-13, DMHT6016LFJ-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 412.2 KB)
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DMHT6016LFJ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型4 N-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)14.8A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds864pF @ 30V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱12-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝V-DFN5045-12

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

143pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 15V

功率-最大

220mW

工作溫度

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 15V

功率-最大

1.3W, 1.1W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.3A, 4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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