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DMHC10H170SFJ-13

DMHC10H170SFJ-13

僅供參考

型號 DMHC10H170SFJ-13
PNEDA編號 DMHC10H170SFJ-13
描述 MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMHC10H170SFJ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMHC10H170SFJ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMHC10H170SFJ-13, DMHC10H170SFJ-13數據表 (總頁數: 9, 大小: 530.97 KB)
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DMHC10H170SFJ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A, 2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1167pF @ 25V
功率-最大2.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱12-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝V-DFN5045-12

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 15V

功率-最大

900mW

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

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