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DLM10E

DLM10E

僅供參考

型號 DLM10E
PNEDA編號 DLM10E
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DLM10E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DLM10E
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DLM10E, DLM10E數據表 (總頁數: 3, 大小: 46.02 KB)
PDFDLM10E-AT1數據表 封面
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DLM10E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果980mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點150°C (Max)

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2.1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

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工作溫度-結點

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二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

80A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.17V @ 80A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

A, Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

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