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DF200R12KE3HOSA1

DF200R12KE3HOSA1

僅供參考

型號 DF200R12KE3HOSA1
PNEDA編號 DF200R12KE3HOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $1,279.2959
50 ---------- $1,219.3289
100 ---------- $1,159.3619
200 ---------- $1,099.3949
400 ---------- $1,049.4224
500 ---------- $999.4499
庫存 3,576
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF200R12KE3HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF200R12KE3HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
DF200R12KE3HOSA1, DF200R12KE3HOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 168.26 KB)
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DF200R12KE3HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大1040W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce14nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 45A

當前-集電極截止(最大值)

1.25mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.81nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

42nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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功率-最大

298W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4700pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 20V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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