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DDB6U180N16RRB37BOSA1

DDB6U180N16RRB37BOSA1

僅供參考

型號 DDB6U180N16RRB37BOSA1
PNEDA編號 DDB6U180N16RRB37BOSA1
描述 IGBT DDB6U180N16RRB37BOSA1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDB6U180N16RRB37BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDB6U180N16RRB37BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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DDB6U180N16RRB37BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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系列

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IGBT類型

-

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

1800W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

41.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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制造商

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系列

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IGBT類型

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配置

Single Switch

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4930A

功率-最大

19000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 3.6kA

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

功率-最大

240W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.66V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.79nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

430A

功率-最大

1150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

24nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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