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CY7C199C-20ZI

CY7C199C-20ZI

僅供參考

型號 CY7C199C-20ZI
PNEDA編號 CY7C199C-20ZI
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C199C-20ZI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C199C-20ZI
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C199C-20ZI, CY7C199C-20ZI數據表 (總頁數: 13, 大小: 256.12 KB)
PDFCY7C199CL-15VXCT數據表 封面
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CY7C199C-20ZI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
供應商設備包裝28-TSOP I

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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S25FL256SAGNFI003

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

FL-S

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

32-PDIP

W632GG8KB15I

Winbond Electronics

制造商

Winbond Electronics

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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