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CY7C1512AV18-200BZI

CY7C1512AV18-200BZI

僅供參考

型號 CY7C1512AV18-200BZI
PNEDA編號 CY7C1512AV18-200BZI
描述 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $1,443.0828
50 ---------- $1,375.4382
100 ---------- $1,307.7937
200 ---------- $1,240.1492
400 ---------- $1,183.7788
500 ---------- $1,127.4084
庫存 2,381
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1512AV18-200BZI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1512AV18-200BZI
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1512AV18-200BZI, CY7C1512AV18-200BZI數據表 (總頁數: 24, 大小: 1,090.21 KB)
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CY7C1512AV18-200BZI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小72Mb (4M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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內存類型

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內存格式

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EEPROM

內存大小

2Kb (128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

24-T-PBGA (6x8)

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制造商

Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (256 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

15µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

MT29F1G08ABAFAH4-AATES:F

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

Automotive, AEC-Q100

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-VFBGA

供應商設備包裝

63-VFBGA (9x11)

MT47H256M8THN-3:H

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-TFBGA

供應商設備包裝

63-FBGA (8x10)

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