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CY7C1426JV18-300BZC

CY7C1426JV18-300BZC

僅供參考

型號 CY7C1426JV18-300BZC
PNEDA編號 CY7C1426JV18-300BZC
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1426JV18-300BZC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1426JV18-300BZC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1426JV18-300BZC, CY7C1426JV18-300BZC數據表 (總頁數: 28, 大小: 693.1 KB)
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CY7C1426JV18-300BZC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小36Mb (4M x 9)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

288Mb (16M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

144-µBGA (18.5x11)

IDT71V547S80PF

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

S34ML04G100BHI003

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-VFBGA

供應商設備包裝

63-BGA (11x9)

MT47H64M8B6-25E L:D TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

60-FBGA

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