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CY7C1413JV18-300BZXC

CY7C1413JV18-300BZXC

僅供參考

型號 CY7C1413JV18-300BZXC
PNEDA編號 CY7C1413JV18-300BZXC
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1413JV18-300BZXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1413JV18-300BZXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1413JV18-300BZXC, CY7C1413JV18-300BZXC數據表 (總頁數: 28, 大小: 693.1 KB)
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CY7C1413JV18-300BZXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小36Mb (2M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

2Tb (256G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

152-LBGA

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存大小

256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM

內存接口

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時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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