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CY7C1413JV18-300BZC

CY7C1413JV18-300BZC

僅供參考

型號 CY7C1413JV18-300BZC
PNEDA編號 CY7C1413JV18-300BZC
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 29 - 六月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1413JV18-300BZC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1413JV18-300BZC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1413JV18-300BZC, CY7C1413JV18-300BZC數據表 (總頁數: 28, 大小: 693.1 KB)
PDFCY7C1413JV18-250BZXC數據表 封面
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CY7C1413JV18-300BZC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小36Mb (2M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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技術

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Kb (8K x 8)

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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