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CY7C1010DV33-10ZSXI

CY7C1010DV33-10ZSXI

僅供參考

型號 CY7C1010DV33-10ZSXI
PNEDA編號 CY7C1010DV33-10ZSXI
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1010DV33-10ZSXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1010DV33-10ZSXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1010DV33-10ZSXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存類型

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.5ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (9x14)

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

MT45W4MW16PCGA-70 L WT

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (256 Bytes x 512 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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