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CY62256VLL-70ZRXIT

CY62256VLL-70ZRXIT

僅供參考

型號 CY62256VLL-70ZRXIT
PNEDA編號 CY62256VLL-70ZRXIT
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY62256VLL-70ZRXIT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY62256VLL-70ZRXIT
類別半導體內存IC內存
數據表
CY62256VLL-70ZRXIT, CY62256VLL-70ZRXIT數據表 (總頁數: 12, 大小: 439.19 KB)
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CY62256VLL-70ZRXIT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MoBL®
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
供應商設備包裝28-TSOP I

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2.6ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Winbond Electronics

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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