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CY14B104N-BA45XCT

CY14B104N-BA45XCT

僅供參考

型號 CY14B104N-BA45XCT
PNEDA編號 CY14B104N-BA45XCT
描述 IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY14B104N-BA45XCT資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY14B104N-BA45XCT
類別半導體內存IC內存
數據表
CY14B104N-BA45XCT, CY14B104N-BA45XCT數據表 (總頁數: 25, 大小: 791.82 KB)
PDFCY14B104N-ZS45XIT數據表 封面
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CY14B104N-BA45XCT規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-FBGA (6x10)

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Cypress Semiconductor Corp

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

CBRAM

內存大小

64kb (32B Page Size)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

100µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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