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CTLT3410-M621 TR

CTLT3410-M621 TR

僅供參考

型號 CTLT3410-M621 TR
PNEDA編號 CTLT3410-M621-TR
描述 TRANSISTOR NPN DFN6
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CTLT3410-M621 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CTLT3410-M621 TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
CTLT3410-M621 TR, CTLT3410-M621 TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 796.36 KB)
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CTLT3410-M621 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic450mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 1V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-PowerVFDFN
供應商設備包裝TLM621

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

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750V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 1.5A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 6A, 5V

功率-最大

60W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

11V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 2A, 1V

功率-最大

75W

頻率-過渡

13MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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