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CSD19506KCS

CSD19506KCS

僅供參考

型號 CSD19506KCS
PNEDA編號 CSD19506KCS
描述 MOSFET N-CH 80V TO-220-3
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 11,487
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD19506KCS資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD19506KCS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD19506KCS規格

制造商
系列NexFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs156nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12200pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.3A (Ta), 16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 13.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 29W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2550pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.22Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta), 7.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1040pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 790µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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