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CPH6020-TL-E

CPH6020-TL-E

僅供參考

型號 CPH6020-TL-E
PNEDA編號 CPH6020-TL-E
描述 RF TRANS NPN 8V 16GHZ 6CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH6020-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH6020-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
CPH6020-TL-E, CPH6020-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 499.5 KB)
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CPH6020-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)8V
頻率-過渡16GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
增益13.5dB
功率-最大700mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-CPH

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

12.5dB

功率-最大

115mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10.2dBd

功率-最大

2095W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

55TU-1

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

18V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

70W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

M135

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

4.5GHz ~ 5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

增益

10dB @ 1GHz

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

3-MCP

2N5770

Central Semiconductor Corp

制造商

Central Semiconductor Corp

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

900MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

-

功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 8mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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