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CPH5524-TL-E

CPH5524-TL-E

僅供參考

型號 CPH5524-TL-E
PNEDA編號 CPH5524-TL-E
描述 TRANS NPN/PNP 50V 3A 5CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 80,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH5524-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH5524-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
CPH5524-TL-E, CPH5524-TL-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 391.57 KB)
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CPH5524-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP (Emitter Coupled)
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic240mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大1.2W
頻率-過渡380MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
供應商設備包裝5-CPH

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

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