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CMPTH81 TR

CMPTH81 TR

僅供參考

型號 CMPTH81 TR
PNEDA編號 CMPTH81-TR
描述 RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMPTH81 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMPTH81 TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
CMPTH81 TR, CMPTH81 TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 478.89 KB)
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CMPTH81 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 70mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10.5dB

功率-最大

175W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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