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CAV24M01WE-GT3

CAV24M01WE-GT3

僅供參考

型號 CAV24M01WE-GT3
PNEDA編號 CAV24M01WE-GT3
描述 IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,168
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 9 - 六月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CAV24M01WE-GT3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CAV24M01WE-GT3
類別半導體內存IC內存
數據表
CAV24M01WE-GT3, CAV24M01WE-GT3數據表 (總頁數: 12, 大小: 255.69 KB)
PDFCAV24M01YE-GT3數據表 封面
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CAV24M01WE-GT3規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間400ns
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

1.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.33GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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