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BZX55B6V2-TAP

BZX55B6V2-TAP

僅供參考

型號 BZX55B6V2-TAP
PNEDA編號 BZX55B6V2-TAP
描述 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.5055
500 ---------- $0.4818
1,000 ---------- $0.4581
2,500 ---------- $0.4344
5,000 ---------- $0.4146
10,000 ---------- $0.3949
庫存 27,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX55B6V2-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX55B6V2-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX55B6V2-TAP, BZX55B6V2-TAP數據表 (總頁數: 7, 大小: 107.15 KB)
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BZX55B6V2-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)6.2V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)10 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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7.5V

公差

±5%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

6 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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功率-最大

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475 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 106.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

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安裝類型

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功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 62.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

16 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 12.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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33 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 25.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

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