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BZW03C200-TAP

BZW03C200-TAP

僅供參考

型號 BZW03C200-TAP
PNEDA編號 BZW03C200-TAP
描述 DIODE ZENER 200V 1.85W SOD64
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $3.3178
250 ---------- $3.1622
500 ---------- $3.0067
1,000 ---------- $2.8512
2,500 ---------- $2.7216
5,000 ---------- $2.5920
庫存 8,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZW03C200-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZW03C200-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZW03C200-TAP, BZW03C200-TAP數據表 (總頁數: 5, 大小: 128.21 KB)
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BZW03C200-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)200V
公差±5%
功率-最大1.85W
阻抗(最大值)(閽zt)500 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 150V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱SOD-64, Axial
供應商設備包裝SOD-64

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7.5V

公差

±10%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

25 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

90nA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

-

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 51V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-齊納(額定)(Vz)

6.8V

公差

±10%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

3.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 6.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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