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BZT55C33 L1G

BZT55C33 L1G

僅供參考

型號 BZT55C33 L1G
PNEDA編號 BZT55C33-L1G
描述 DIODE ZENER 33V 500MW MINI MELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT55C33 L1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT55C33 L1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZT55C33 L1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)33V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)80 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 24V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝Mini MELF

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電壓-齊納(額定)(Vz)

5.76V

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±3%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

7.5µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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5W

阻抗(最大值)(閽zt)

55 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 56V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

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安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 69.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 8.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

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