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BUT11ATU

BUT11ATU

僅供參考

型號 BUT11ATU
PNEDA編號 BUT11ATU
描述 TRANS NPN 450V 5A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,144
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUT11ATU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUT11ATU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUT11ATU, BUT11ATU數據表 (總頁數: 6, 大小: 160 KB)
PDFBUT11TU數據表 封面
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BUT11ATU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)450V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 500mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大100W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2A, 6V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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KSC900CYTA

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500µA, 3V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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Micro Commercial Co

制造商

Micro Commercial Co

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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制造商

Panasonic Electronic Components

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 10mA, 5V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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