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BUT11AI,127

BUT11AI,127

僅供參考

型號 BUT11AI,127
PNEDA編號 BUT11AI-127
描述 TRANS NPN 450V 5A TO220AB
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUT11AI資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUT11AI,127
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUT11AI, BUT11AI數據表 (總頁數: 6, 大小: 45.36 KB)
PDFBUT11AI數據表 封面
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BUT11AI規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)450V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 330mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce14 @ 500mA, 5V
功率-最大100W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 20mA, 8V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

6GHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

125V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 10A, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

265mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

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