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BUK7620-55A,118

BUK7620-55A,118

僅供參考

型號 BUK7620-55A,118
PNEDA編號 BUK7620-55A-118
描述 MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 2,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 13 - 十一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK7620-55A資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK7620-55A,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK7620-55A, BUK7620-55A數據表 (總頁數: 13, 大小: 929.1 KB)
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BUK7620-55A規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)54A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1592pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)118W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.36W (Ta), 62.5W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTB6413ANT4G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQAF17N40

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-3PF

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

185nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263 (IXFA)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

制造商

NXP USA Inc.

系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

680mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 9.6V

FET功能

-

功耗(最大值)

417mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

包裝/箱

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