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BTS282Z E3180A

BTS282Z E3180A

僅供參考

型號 BTS282Z E3180A
PNEDA編號 BTS282Z-E3180A
描述 MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BTS282Z E3180A資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BTS282Z E3180A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BTS282Z E3180A, BTS282Z E3180A數據表 (總頁數: 12, 大小: 270.91 KB)
PDFBTS282Z E3230數據表 封面
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BTS282Z E3180A規格

制造商Infineon Technologies
系列TEMPFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)49V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 240µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs232nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4800pF @ 25V
FET功能Temperature Sensing Diode
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO220-7-180
包裝/箱TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 68A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

246nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7130pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

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77A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 38.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

265nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

694W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

190W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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Vgs(最大)

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