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BST51,115

BST51,115

僅供參考

型號 BST51,115
PNEDA編號 BST51-115
描述 TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BST51資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BST51,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BST51, BST51數據表 (總頁數: 8, 大小: 56.9 KB)
PDFBST51數據表 封面
BST51數據表 頁面 2 BST51數據表 頁面 3 BST51數據表 頁面 4 BST51數據表 頁面 5 BST51數據表 頁面 6 BST51數據表 頁面 7 BST51數據表 頁面 8

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BST51規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.3V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 500mA, 10V
功率-最大1.3W
頻率-過渡200MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89

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300V

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2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 10V

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

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