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BSM75GD120DLCBOSA1

BSM75GD120DLCBOSA1

僅供參考

型號 BSM75GD120DLCBOSA1
PNEDA編號 BSM75GD120DLCBOSA1
描述 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $5,458.3392
50 ---------- $5,202.4796
100 ---------- $4,946.6199
200 ---------- $4,690.7603
400 ---------- $4,477.5439
500 ---------- $4,264.3275
庫存 6,746
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM75GD120DLCBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM75GD120DLCBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM75GD120DLCBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)125A
功率-最大500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)92µA
輸入電容(Cies)@ Vce5.1nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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93A

功率-最大

378W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 60A

當前-集電極截止(最大值)

80µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.59nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

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配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

135A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

625A

功率-最大

2500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

26nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10nF @ 10V

輸入

Standard

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No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

460A

功率-最大

1400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

18nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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