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BSM50GAL120DN2HOSA1

BSM50GAL120DN2HOSA1

僅供參考

型號 BSM50GAL120DN2HOSA1
PNEDA編號 BSM50GAL120DN2HOSA1
描述 IGBT 2 MED POWER 34MM-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 11 - 七月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM50GAL120DN2HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM50GAL120DN2HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM50GAL120DN2HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single Switch
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)78A
功率-最大400W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce3.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

1.75mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

312W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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功率-最大

2840W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

68nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Chassis Mount

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.44nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

58A

功率-最大

200W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.53nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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