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BSM200GA120DN2HOSA1

BSM200GA120DN2HOSA1

僅供參考

型號 BSM200GA120DN2HOSA1
PNEDA編號 BSM200GA120DN2HOSA1
描述 IGBT 2 MED POWER 62MM-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM200GA120DN2HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM200GA120DN2HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM200GA120DN2HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single Switch
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)300A
功率-最大1550W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)4mA
輸入電容(Cies)@ Vce13nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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1200V

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40A

功率-最大

208W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

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Powerex Inc.

制造商

Powerex Inc.

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IGBTMOD™

IGBT類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

800A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.15V @ 15V, 800A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

70.4nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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Module

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Powerex Inc.

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Powerex Inc.

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IGBTMOD™

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

960W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

24.7nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

CM200EXS-24S

Powerex Inc.

制造商

Powerex Inc.

系列

-

IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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