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BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101

僅供參考

型號 BSM180D12P2C101
PNEDA編號 BSM180D12P2C101
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM180D12P2C101資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM180D12P2C101
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSM180D12P2C101規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)204A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 35.2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds23000pF @ 10V
功率-最大1130W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型-
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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