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BR25A256FJ-3MGE2

BR25A256FJ-3MGE2

僅供參考

型號 BR25A256FJ-3MGE2
PNEDA編號 BR25A256FJ-3MGE2
描述 105°C OPERATION SPI BUS EEPR
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25A256FJ-3MGE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25A256FJ-3MGE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25A256FJ-3MGE2, BR25A256FJ-3MGE2數據表 (總頁數: 31, 大小: 2,116.04 KB)
PDFBR25A256FVT-3MGE2數據表 封面
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BR25A256FJ-3MGE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP-J

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

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制造商

Maxim Integrated

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

20Kb (256 x 80)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Quad Port, Asynchronous

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

128-TQFP (14x20)

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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