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BR24G04FJ-3GTE2

BR24G04FJ-3GTE2

僅供參考

型號 BR24G04FJ-3GTE2
PNEDA編號 BR24G04FJ-3GTE2
描述 IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SOPJ
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR24G04FJ-3GTE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR24G04FJ-3GTE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR24G04FJ-3GTE2, BR24G04FJ-3GTE2數據表 (總頁數: 36, 大小: 834.79 KB)
PDFBR24G04-3數據表 封面
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BR24G04FJ-3GTE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小4Kb (512 x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率400kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.6V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP-J

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

9ns

電壓-供電

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