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BLT70,115

BLT70,115

僅供參考

型號 BLT70,115
PNEDA編號 BLT70-115
描述 RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLT70資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLT70,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BLT70, BLT70數據表 (總頁數: 11, 大小: 60.73 KB)
PDFBLT70數據表 封面
BLT70數據表 頁面 2 BLT70數據表 頁面 3 BLT70數據表 頁面 4 BLT70數據表 頁面 5 BLT70數據表 頁面 6 BLT70數據表 頁面 7 BLT70數據表 頁面 8 BLT70數據表 頁面 9 BLT70數據表 頁面 10 BLT70數據表 頁面 11

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BLT70規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)8V
頻率-過渡900MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大2.1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 100mA, 4.8V
當前-集電極(Ic)(最大值)250mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

380mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

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-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.5dB @ 2GHz

增益

14dB ~ 16dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 3mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

225mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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