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BFU790F,115

BFU790F,115

僅供參考

型號 BFU790F,115
PNEDA編號 BFU790F-115
描述 RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 29 - 七月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU790F資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU790F,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFU790F, BFU790F數據表 (總頁數: 12, 大小: 121.51 KB)
PDFBFU790F數據表 封面
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BFU790F規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)2.8V
頻率-過渡25GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
增益-
功率-最大234mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce235 @ 10mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝4-DFP

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CEL

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-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

140mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-3

供應商設備包裝

M13

MS1409

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

頻率-過渡

175MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

7W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-39

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Maxim Integrated

制造商

Maxim Integrated

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

增益

11.6dB

功率-最大

6.4W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 250mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

8-SOIC-EP

2SC5011-A

CEL

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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