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BFU610F,115

BFU610F,115

僅供參考

型號 BFU610F,115
PNEDA編號 BFU610F-115
描述 RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 9 - 七月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU610F資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU610F,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFU610F, BFU610F數據表 (總頁數: 12, 大小: 126.3 KB)
PDFBFU610F數據表 封面
BFU610F數據表 頁面 2 BFU610F數據表 頁面 3 BFU610F數據表 頁面 4 BFU610F數據表 頁面 5 BFU610F數據表 頁面 6 BFU610F數據表 頁面 7 BFU610F數據表 頁面 8 BFU610F數據表 頁面 9 BFU610F數據表 頁面 10 BFU610F數據表 頁面 11

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BFU610F規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5.5V
頻率-過渡15GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
增益13.5dB ~ 23.5dB
功率-最大136mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 1mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)10mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝4-DFP

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7.8dB

功率-最大

75W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3.5A

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M214

供應商設備包裝

M214

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

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功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

頻率-過渡

3.1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

270W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SOT-445C

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

8GHz, 5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

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