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BFR181E6327HTSA1

BFR181E6327HTSA1

僅供參考

型號 BFR181E6327HTSA1
PNEDA編號 BFR181E6327HTSA1
描述 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFR181E6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFR181E6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFR181E6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益18.5dB
功率-最大175mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

3-CP

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ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB @ 200MHz

增益

20dB ~ 23dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 3mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

增益

9.4dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

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包裝/箱

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