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BDW83C-TO218

BDW83C-TO218

僅供參考

型號 BDW83C-TO218
PNEDA編號 BDW83C-TO218
描述 TRANS NPN DARL 100V 15A TO-218
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BDW83C-TO218資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BDW83C-TO218
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BDW83C-TO218, BDW83C-TO218數據表 (總頁數: 4, 大小: 47.3 KB)
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BDW83C-TO218規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 150mA, 15A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 6A, 3V
功率-最大130W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-218-3, TO-218AC
供應商設備包裝TO-218

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 1V

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

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