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BDV64B-S

BDV64B-S

僅供參考

型號 BDV64B-S
PNEDA編號 BDV64B-S
描述 TRANS PNP DARL 100V 12A
制造商 Bourns
單價 請求報價
庫存 8,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BDV64B-S資源

品牌 Bourns
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BDV64B-S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BDV64B-S, BDV64B-S數據表 (總頁數: 4, 大小: 104.89 KB)
PDFBDV64A-S數據表 封面
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BDV64B-S規格

制造商Bourns Inc.
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 20mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 5A, 4V
功率-最大3.5W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-218-3
供應商設備包裝SOT-93

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5A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2.5A, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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ON Semiconductor

制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 20mA, 5V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 2V

功率-最大

1.4W

頻率-過渡

50MHz

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