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BD435

BD435

僅供參考

型號 BD435
PNEDA編號 BD435_8B
描述 TRANS NPN 32V 4A SOT-32
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD435資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD435
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD435, BD435數據表 (總頁數: 4, 大小: 49.51 KB)
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BD435規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 10mA, 5V
功率-最大36W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝SOT-32-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

225 @ 500mA, 2V

功率-最大

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4.5 @ 5A, 5V

功率-最大

50W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 60mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 5mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3000 @ 1A, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

120MHz

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