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BD238G

BD238G

僅供參考

型號 BD238G
PNEDA編號 BD238G
描述 TRANS PNP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD238G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD238G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD238G, BD238G數據表 (總頁數: 5, 大小: 87.34 KB)
PDFBD238G數據表 封面
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BD238G規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 500mA, 1V

功率-最大

30W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 100mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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