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BD180G

BD180G

僅供參考

型號 BD180G
PNEDA編號 BD180G
描述 TRANS PNP 80V 1A TO225
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD180G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD180G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD180G, BD180G數據表 (總頁數: 4, 大小: 84.83 KB)
PDFBD180數據表 封面
BD180數據表 頁面 2 BD180數據表 頁面 3 BD180數據表 頁面 4

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BD180G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1mA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 2V
功率-最大30W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 8V, 4V

功率-最大

200W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

65MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 200mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1250 @ 10A, 3V

功率-最大

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